Книга Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
В. Н. Мурашев
- Автор: В. Н. Мурашев
- Жанр: Учебно-методические пособия, Электроника
- Год издания: 2001
- Издательство: МИСиС
Описание Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовленияРекомендуем к прочтению
Анализ проблем применения интегрированных сред проектирования микропроцессорных систем
Е. В. Бурькова
Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 1. Приборы общего назначения
В. П. Дьяконов
Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 2. Приборы специального назначения
В. П. Дьяконов
Основы технологии микромонтажа интегральных схем
В. А. Емельянов
10 увлекательных проектов аналоговой электроники
Марк Е. Хернитер
Основы электроники. Учебное пособие для вузов
А. Л. Марченко
Генерация и генераторы сигналов
В. П. Дьяконов
Спутниковое телевидение в вашем доме
Дерек Стивенсон