Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Рекомендуем к прочтению
Анализ проблем применения интегрированных сред проектирования микропроцессорных систем
Е. В. Бурькова
Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 1. Приборы общего назначения
В. П. Дьяконов
Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 2. Приборы специального назначения