Книга Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Алексей Ковалев
- Автор: Алексей Ковалев
- Жанр: Монографии, Электроника
- Год издания: 2011
- Издательство: МИСиС
Описание Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.Рекомендуем к прочтению
Анализ проблем применения интегрированных сред проектирования микропроцессорных систем
Е. В. Бурькова
Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 1. Приборы общего назначения
В. П. Дьяконов
Сверхскоростная твердотельная электроника. Том 2. Приборы специального назначения
В. П. Дьяконов
Основы технологии микромонтажа интегральных схем
В. А. Емельянов
10 увлекательных проектов аналоговой электроники
Марк Е. Хернитер
Основы электроники. Учебное пособие для вузов
А. Л. Марченко
Генерация и генераторы сигналов
В. П. Дьяконов
Спутниковое телевидение в вашем доме
Дерек Стивенсон